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對于復雜地質樣品，電子多晶X射線衍射儀（XRD）是一種非常有效的分離和鑒定工具。以下是使用XRD對復雜地質樣品進行有效分離和鑒定的一般步驟：一、樣品準備1、粉碎與研磨首先將復雜地質樣品粉碎成細顆粒，通常需要使用研缽和研杵，或者球磨機等設備。粉碎后的顆粒尺寸應符合XRD分析的要求，一般在微米級別，這樣能保證樣品具有足夠的表面積，使X射線能夠充分照射到晶體的各個面，獲得準確的衍射信息。2、篩分與提純（可選）根據樣品的性質和研究目的，可能需要進行篩分以分離出特定粒徑范圍的顆粒。如果...

BiasMDP技術搭配MDPmap設備，開啟表面鈍化檢測新方式在能源產業(yè)蓬勃發(fā)展的當下，追求更高效率的太陽能電池成為行業(yè)核心目標。而這其中，表面鈍化技術的優(yōu)劣起著決定性作用。要深入理解和優(yōu)化表面鈍化，精準測量固定電荷和界面缺陷密度這兩個關鍵參數至關重要。為大家介紹一項行業(yè)變革的創(chuàng)新技術——基于微波探測光電導衰減法（MDP）的BiasMDP技術，這一技術在實驗測量環(huán)節(jié)，FreibergInstruments公司的MDPmap型號設備發(fā)揮了重要作用。在BiasMDP技術出現之前，...

MDP技術-硅錠質量評估的“透視眼”在光伏生產鏈中，硅錠材料質量評估對晶體生長者優(yōu)化結晶過程、電池、芯片制造商篩選材料以降本增效極為重要。傳統(tǒng)依賴最終效率的反饋方式存在諸多不足，MDP技術則為早期質量評估提供了新途徑。FreibergInstruments相關技術或設備助力實現用MDP技術在硅磚四個側面以1mm分辨率測量空間壽命和電阻率圖像。這種測量具有非接觸、可在線操作且無需校準的優(yōu)勢。MDP技術能夠對晶錠的空間分辨載流子壽命和電阻率進行測量，其測量過程為非接觸式，可在生產...

由來自國家食品藥品監(jiān)督管理局相關重點實驗室、中國藥科大學、中國科學院上海藥物研究所等機構的眾多科研人員組成的團隊，結合體外溶出實驗與三維X射線斷層掃描結構表征的研究方法，開展了甲磺酸多沙唑嗪緩釋片相關研究。文章中，研究人員運用Bruker納米級三維X射線顯微鏡（NanoCT）SkyScan2214剖析了藥物結構與釋放動力學關系，為口服控釋仿制藥研發(fā)和質量控制提供了重要依據。該文章于2024年9月21日成功發(fā)表于AsianJournalofPharmaceuticalScien...

lexsyg釋光探測器||在地質測年領域應用分享突破測年極限！紫光激發(fā)發(fā)光技術新進展，lexsyg系統(tǒng)助力古老沉積物測年研究這篇由牛津大學與伍倫貢大學聯合團隊發(fā)表的研究，為石英測年技術帶來了重要突破。團隊使用德國FreibergInstruments的lexsygresearchsystem高精度發(fā)光測量系統(tǒng)，對紫色受激發(fā)光（VSL）測年法展開系統(tǒng)性驗證，揭示了該技術在突破傳統(tǒng)測年上限中的潛力與挑戰(zhàn)。創(chuàng)新實驗設計研究選取歐洲4處考古遺址樣本（年代跨度40-900ka），通過對...

在半導體材料的研究與應用中，缺陷表征至關重要。特別是在中子嬗變摻雜（NTD）硅的處理過程中，了解其輻射誘導缺陷對于優(yōu)化退火條件、提升材料性能意義非凡。FreibergInstruments公司的微波探測光致電流瞬態(tài)光譜法（MDPICTS）技術（如圖1），為這一領域帶來了新的突破，展現出諸多傳統(tǒng)技術難以企及的優(yōu)點。NTD硅，因能實現極低的電阻率變化，在大面積輻射探測器制造中占據重要地位。然而，摻雜后的硅晶體因輻射產生大量缺陷，實際電阻率遠超預期，退火成為必要環(huán)節(jié)。在此過程中，準...

對分布函數（PairDistributionFunction,PDF）分析是一種描述材料中原子之間距離分布的方法，它可以給出原子間距離分布或者相距r的原子對的“概率”。對于長程有序的結晶材料，根據布拉格衍射幾何，可以很容易得到材料對應的晶體結構信息，而對于短程有序或者無序的材料，比如非晶、液體等，布拉格衍射給出的信息非常有限（往往是很寬的漫散峰，甚至沒有峰），這時借助PDF分析可以得到更多的細節(jié)信息。傳統(tǒng)上，PDF測試只能在大型落地式衍射儀上進行，臺式衍射儀通常用于簡單的測試...

電子順磁共振波譜儀的養(yǎng)護細節(jié)涉及環(huán)境條件、電源管理、定期檢查與維護、樣品處理與存放以及軟件維護等多個方面。只有做好這些養(yǎng)護工作，才能確保儀器的正常運行和延長使用壽命。以下是電子順磁共振波譜儀的養(yǎng)護細節(jié)：1.環(huán)境條件-溫度與濕度：儀器應放置在溫度、濕度相對穩(wěn)定的環(huán)境中，一般溫度保持在15℃-30℃，相對濕度在20%-80%為宜。避免將儀器放置在潮濕、高溫或陽光直射的地方，以免影響儀器的性能和壽命。例如，在潮濕的環(huán)境中，儀器內部的電子元件可能會受潮生銹，導致電路故障；而高溫環(huán)境可...